存储巨头美光拉开半导体一季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY26Q2，按实际时间对应2025年12月-2026年1/2月。
美光FY26Q2财报：
营收 238.6 亿美元，同比增长 196% ，环比增长 75% ，远超市场一致预期的191.4亿美元 ；预计FY26Q3营收 355 亿美元，同比增长 260% ，环比增长40% ；
GAAP毛利率 74.4% ，同比提升37.6个百分点，环比提升18.4个百分点； 预计FY26Q3毛利率 81% ，环比提升6.6个百分点 ；
GAAP净利润 161.6 亿美元，同比增长 921% ，环比增长 208% ，远超市场一致预期的98.2亿美元；NonGAAP净利润 140.2 亿美元，同比增长 686% ，环比增长 156% ，远超市场一致预期的97.9亿美元；预计FY26Q3 GAAP净利润 216 亿美元，同比增长1045%，环比增长 34% ，NonGAAP净利润 219 亿美元，同比增长903%，环比增长 56% ；
本季度回购3.5亿美元，计划季度分红提高30%；
分业务：
DRAM营收187.7亿美元 ，同比增长 207% ， 连续10个季度增长 ，环比增长 87% ，营收占比 79% ； DRAM bit 出货量环比中个位数增长 ， ASP环比增长mid-60%s ；
NAND营收50亿美元 ，同比增长169%， 连续2个季度增长 ，环比增长 104% ，营收占比 21% ； NAND bit出货量环比低个位数增长 ， ASP环比增长high-70%s ；
可见无论是DRAM还是NAND， 并不是靠出货量增长 ， 主要靠涨价 。
分市场：
以云计算客户DRAM、整体数据中心HBM 为代表的 CMBU 业务营收77.5亿美元，同比增长163%，环比增长 47% ，经营利润率 66% ，环比提升 11 个百分点。
以 OEM客户数据中心DRAM 、整体数据中心NAND 为代表的 CDBU 业务营收56.9亿美元，同比增长211%，环比增长 139% ，经营利润率 67% ，环比提升 30 个百分点。
以手机/PC DRAM、NAND 为代表的 MCBU 业务营收77.1亿美元，同比增长245%，环比增长 81% ，经营利润率 76% ，环比提升 29 个百分点， 首次反超数据中心业务利润率 。
以汽车/工业/消费DRAM、NAND 为代表的 AEBU 业务营收27.1亿美元，同比增长162%，环比增长 57% ，经营利润率 62% ，环比提升 26 个百分点。
这里值得注意的是， 非数据中心敞口 （手机、PC、工业、汽车） 营收合计占比 44% ， 经营利润占比高达46% ，这部分是纯靠涨价拉动，而非需求，属于周期拐点最先被冲击的业务。
传统服务器需求强劲，受换代和Agentic AI需求带动；AI服务器持续强劲，相关DRAM/NAND仍供不应求； 预计2026年服务器出货同比增长low-teens% （较2025年增速下滑） ，AI服务器、传统服务器皆增长；服务器DRAM容量持续提升；行业首个256GB LP SOCAMM2开始送样，基于1-gamma工艺； 英伟达Groq 3 LPX机柜最高搭载12TB DDR5 ； 本季度数据中心NAND营收环比翻倍 ，预计NAND需求在可见的未来供不应求；
管理层表示 2026年HBM营收将由HBM3E和HBM4共同构成 （不变） ； HBM4 36GB 12H开始在本季度量产出货，专为Vera Rubin设计，预计良率爬坡速度比上代HBM3E更快；HBM4 48GB 16H开始送样；HBM4E预计在2027年量产，采用1-gamma DRAM工艺，定制化HBM4E产品提供了产业差异化选择，与客户联合研发； 目前非HBM的利润率高于HBM利润率 ；
预计2026年PC、手机出货同比低两位数下滑 ；本季度接近80%旗舰手机搭载12GB以上DRAM；PC LPCAMM2在一家主要OEM完成验证；
本季度汽车、工业营收合计超20亿美元 ；目前一般汽车的ADAS能力不到L2级别，大约包含16GB的DRAM，而L4级自动驾驶车辆需要超过300GB；
会议纪要重点：
预计2026年美光 DRAM bit出货同比增长low-20%s （上调） ， NAND bit出货同比增长20% （不变） ；
预计DRAM、NAND 供不应求持续至 2026年以后 （不变） ； 预计2026年NAND产能增长主要靠G9 QLC节点，将在新加坡新建NAND Fab， 预计2028年下半年量产 ；DRAM产能增长主要靠扩产：力积电的Fab提前完成交割，FY26末将扩建洁净室， 预计FY28 （2027年） 开始大量出货 ；爱达荷ID1预计 2027年年中DRAM量产 ，ID2已经动工；纽约州Fab提前开始动工；日本Fab扩建洁净室进展顺利；印度封测厂开始量产；新加坡HBM先进封装厂预计在 2027年大量释放HBM产能 ； 可以看到 2027年将迎来众多DRAM/HBM产能释放 。
上调FY26 capex指引至 250亿美元 （上季度是200亿美元） ，capex增量主要是洁净室；预计FY27 capex超 350亿美元 ， 大部分与HBM及其他DRAM相关 ，设备支出也将大幅增长； 由于对洁净室产能的需求， 预计 FY26和FY27建设支出增速将超过设备支出增速 ； 在DRAM 1-delta节点将加大对EUV的使用；
签署第一份5年战略合作合同SCA；在中期只能满足客户50%到三分之二的需求；联想到上一轮周期顶部，美光管理层还拿自己LTA占比70%+来说平滑周期，结果...
本季度DIO 123天，环比仅下降3天，其中DRAM DIO低于120天； 更高的价格、更低的成本和有利的产品组合都将对下季度毛利率的扩张做出贡献 ；不会提供FQ4的毛利率指引；
总的来说，美光这份财报再次大超预期，在上季度财报提到“ 2026年将真正迎来美股AI半导体业绩爆发期 ， 今年的还只是开胃菜 。”现在确实是见识到了存储前所未有超级周期的威力。
之前曾提到，鉴于目前美光估值逻辑已经从周期股切换到成长股，市场需要更多关于HBM市场TAM上调的积极信号，管理层这次终于给了TAM提前两年突破1000亿美元大关的指引。长期看，美光的核心增长支柱还是HBM、高密度D5/LP5、数据中心SSD三大业务，但短期看，非HBM业务的利润率已经在涨价潮的提振下，大幅跑赢了HBM业务。
管理层给出超预期的capex以及新建产能进展的超预期，开始令市场担忧拐点的问题。 市场包括存储厂自己也都深知周期终究是周期，拐点终究会到来，去纠结PE估值已经没有意义。目前DRAM、NAND产能集中释放的节点主要在2027年下半年，但就怕市场开始提前博弈。