存储巨头美光拉开半导体三季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY25Q4，按实际时间对应2025年6/7/8月。
美光FY25Q4财报：
营收 113.2 亿美元，同比增长 46% ，环比增长 22% ，再创历史新高 ；预计FY26Q1营收 125 亿美元，同比增长 44% ，环比增长 11% ，继续环比增长；
GAAP毛利率 44.7% ，环比增长7个百分点； 预计FY26Q1毛利率50.5%，环比增长5.8个百分点 （GAAP毛利率巅峰是FY18Q4的 61% ） ；
GAAP经营利润 36.5 亿美元，环比增长 68% ，经营利润率 32% （GAAP经营利润巅峰是FY18Q4的 4 3 亿美元） ；
经营现金流 46.1 亿美元，环比增长 17% （ 经营现金流巅峰是FY18Q4的 52 亿美元） ； 自由现金流连续6个季度为正 ；
GAAP净利润 32 亿美元，环比增长 70% ，NonGAAP净利润 34.7 亿美元，环比增长 59% ；预计FY26Q1 GAAP净利润 40.2 亿美元，NonGAAP净利润 43.1 亿美元 （GAAP净利润巅峰FY18Q4的 43.3 亿美元） ；
整个FY25财年未回购；
分业务：
DRAM营收90亿美元 ，同比增长69%， 连续8个季度增长 ，环比增长27%，营收占比79%； DRAM bit出货量环比增长low-teens%，ASP环比增长低两位数；
NAND营收23亿美元 ，意外同比下滑5%， 结束连续7个季度增长 ，营收占比降至历史低位20%； NAND bit出货量环比下滑中个位数，ASP环比增长高个位数； 这一结果仿佛与近期NAND涨价潮的火爆有所背离 ，对此管理层解释为NAND行业将会改善，但从时间维度来看， DRAM业务的改善肯定会更早 ，就供应紧张程度而言， NAND市场正在改善并趋于紧张 ， 但DRAM市场目前已经就很紧张 ，并且未来会变得更加紧张，当然也与美光自身NAND产品结构有关。
分市场：
以云计算客户DRAM、整体数据中心HBM 为代表的 CMBU 业务营收45.4亿美元，同比增长214%，环比增长34%，营收占比40%，毛利率59%，环比提升1.2个百分点。
以 OEM客户数据中心DRAM 、整体数据中心NAND 为代表的 CDBU 业务营收15.8亿美元，同比下滑23%，环比增长3%，营收占比14%，毛利率41%，环比提升4个百分点。
以手机/PC DRAM、NAND 为代表的 MCBU 业务营收37.6亿美元，同比增长25%，环比增长16%，营收占比33%，毛利率36%，环比提升0.12个百分点。
以汽车/工业/消费DRAM、NAND 为代表的 AEBU 业务营收14.4亿美元，同比增长17%，环比增长27%，营收占比13%，毛利率31%，环比提升5.4个百分点。
预计2025年服务器出货同比增长10% （上调） ， AI训练+推理需求仍在广泛扩散， 传统服务器也开始回暖； 公司主要数据中心产品包括 HBM 、 高密度D5/LP5 以及数据中心SSD 这三大类； FY25数据中心营收占比56% ，毛利率52% ， FY25 数据中心高密度D5和LP产品合计营收已超100亿美元 ， 数据中心LPDRAM单季度营收环比增长50% ，美光仍然是英伟达数据中心LPDRAM的独供； 数据中心SSD营收和市场份额再创新高， 数据中心HDD供应短缺利好SSD需求提升 ，公司推出行业首个G9数据中心NAND， 服务器SSD平均容量正在从60TB提升到120TB，并且未来会积极使用大量的245TB；
本季度 HBM 营收近20亿美元 ， run rate营收近80亿美元 ， 对比之下 SK海力士Q2 HBM营收约65亿美元 ；
产品层面， 2026年HBM3E大部分供给已锁定 ， 但 HBM4仍未完成谈判 ，将在未来几个月锁定；HBM4（逻辑Die自研）已向客户送样，带宽>2.8TB/s、速率>11Gbps（辟谣速率不满足英伟达标准的新闻）， 首批将于2026Q2出货 ，2026H2爬坡。 2027年量产的HBM4E逻辑Die宣布与台积电合作，可做定制化，定制版毛利率高于标准品； 预计下季度公司HBM市场份额将会与公司DRAM市场份额相匹配 （20%+） ， 2026年HBM市场份额更高 ；
预计2025年PC出货同比增长中个位数 （上调） ； 美光首个1-gamma D5量产出货；本季度美光客户端SSD营收再创新高；
预计2025年智能手机出货同比增长低个位数 （不变） ；手机DRAM用量持续提升，本季度1/3旗舰手机搭载12GB以上DRAM；本季度基于1-beta工艺的LP5X 16GB、24GB产品完成客户验证； 未来退出手机NAND业务 ，停止研发UFS5， 专注ROI更高的手机DRAM业务 ； 手机客户在DRAM方面的选择远少于在NAND方面的选择；
本季度汽车和工业需求复苏超预期 ；公司D4/LP4产品供给持续受限，6月份宣布的弗吉尼亚Fab扩产计划支撑客户D4/LP4需求 ；
会议纪要重点：
预计2025年DRAM bit需求增长 high-teens% （上调） ，NAND bit需求增长 low to mid- teens% （上调） ； 2025年DRAM/NAND bit供给增速低于行业nonHBM与NAND的平均水平； 中期DRAM/NAND bit需求增长CAGR mid-teens% （不变） ；
预计2026年DRAM、NAND持续供不应求 ；
NAND制程转换会使FY25 NAND产能比FY24低10%；随着HBM的硅片需求和晶圆转换比持续提升 （ HBM3E较D5消耗3倍wafer ， HBM4将消耗更多 ，HBM4E将消耗超4倍wafer） ；
预计FY26Q1 capex 45亿美元，年化近180亿美元， 大部分与HBM以及其他DRAM相关 ；
预计毛利率持续上行 ，FQ1、FQ2毛利率可持续环比增长； DRAM库存天数低于120天目标且将维持紧张 ， NAND库存也在下降 ；客户下单提前期延长、可见度提升；
总的来说，美光这份财报还行，但财报前彭博一致预期竟然比官方业绩指引都低实属离谱。两个季度前，大家还在担忧数据中心SSD短期过剩，结果最近结构性产能短缺持续涨价迎来反转。由于DRAM需求旺盛，叠加HBM占用较大DRAM产能，非HBM DRAM也开启涨价潮，管理层表示甚至部分产品利润率超过了HBM。
但鉴于目前美光估值逻辑已经从周期股切换到成长股，市场需要更多关于HBM市场TAM上调的积极信号，管理层这次仍未给到。而且HBM4产能仍未如预期中提前售罄，市场预计需求方的议价能力将比HBM3时候更强。长期来看， 美光的核心增长支柱还是HBM、高密度D5/LP5、数据中心SSD三大业务 。
目前美光PB 3.4x，已经远远突破历史PB 1.8x估值区间，而全球HBM一哥SK海力士目前PB 3x （25Q2，25Q3可能会更低） ，HBM掉队的三星电子目前PB 1.3x （25Q2， 25Q3可能会更低 ） 。