存储巨头美光拉开半导体二季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY24Q3，按实际时间对应2024年3/4/5月。
美光FY24Q3财报：
营收 68.11 亿美元，同比增长 82% ，环比增长 17% ； 营收连续3个季度同比增长；预计FY24Q4营收 76 亿美元，同比增长 90% ，环比增长 12% ； （营收巅峰是FY18Q4的 84 亿美元）；
GAAP毛利率 26.9% ，环比提升8.4个百分点；（毛利率巅峰是FY18Q4的 61% ）；
经营现金流 24.82 亿美元，环比增长104%，经营利润率 11% （ 经营现金流巅峰是FY18Q4的 52 亿美元） ； 自由现金流连续6个季度为负后首次转正；
GAAP净利润 3.32 亿美元，连续2个季度转正，NonGAAP净利润 7.02 亿美元， 连续2个季度转正 ；预计FY24Q4 GAAP净利润 6.85 亿美元，NonGAAP净利润 12.1 3 亿美元； （净利润巅峰是FY18Q4的 43 亿美元）
分业务：
DRAM营收46.92亿美元 ，同比增长76%， 连续3个季度增长 ，营收占比69%；DRAM bit出货量环比下滑中个位数，ASP环比增长20%；
NAND营收20.65亿美元 ，同比增长104%， 连续3个季度增长 ，营收占比30%；NAND bit出货量环比增长高个位数，ASP环比增长20%；
大部分数据中心客户的库存已经正常化，需求持续增长；PC、手机客户因预期未来存储涨价开始补库存，AIPC、AI手机对存储需求增长较快，但因DRAM/NAND产能优先满足数据中心客户，导致供应受限；
预计下季度DRAM bit出货环比持平 ， NAND bit出货小幅增长 ， 尽管手机、PC短期需求放缓 ， 但下半年ASP会持续上涨 ； bit出货预计年底会重新增长 ；未来数据中心仍是主要增长点，HBM、高密度DIMM为主，还有数据中心SSD；
分市场：
本季度数据中心营收环比增长50%+ ，其中数据中心SSD营收环比翻倍创新高 ， 市场份额也创新高 ，hyperscale客户AI训练、推理需求旺盛，传统计算、存储客户需求回暖，而 DRAM数据中心营收同比也翻倍增长 ； 预计2024年服务器出货量同比增长mid-high single% （没变） ，AI服务器大幅增长，传统服务器小幅增长；
本季度HBM3E开始ramp ， 贡献营收超1亿美元（ SK海力士Q1 HBM营收约7亿美元） ， 毛利率高于DRAM （DRAM毛利率高于公司平均水平） ； 预计FY24 HBM营收数亿美元 ， FY25将达数十亿美元 ；预计2025年HBM bit市场份额将会与公司DRAM bit市场份额相匹配； 2024/2025年HBM产能已售罄 ；12-high HBM3E产品已送样，预计2025年大规模ramp，出货比重也将大幅提升；公司对HBM4/HBM4E技术领先保持乐观；
高密度1-beta 128GB服务器D5模组产品完成验证， 预计FY24H2贡献数亿美元营收 ； 数据中心客户对1-beta LPDRAM产品很感兴趣；数据中心232层30TB SSD bit出货量增长三倍， 数据中心SSD毛利率高于NAND整体毛利率 ；
预计2024年PC出货同比增长low-single% （不变） ； 公司对win10 2025年到期/win12发布/AIPC带来的换机潮乐观；AIPC的DRAM规格较传统PC提升40%-80%；
本季度MBU产品经营利润率19% ， 连续6个季度为负后首次转正 ； 预计2024年智能手机出货同比增长low-mid single% （不变） ；AI手机DRAM规格会较非AI手机提升50%-100%；
工业、零售消费者市场需求仍不稳定，公司表示长期乐观； 汽车营收创新高 ；
会议纪要重点：
预计2024年DRAM/NAND bit需求增长mid-teens% ， 预计中期DRAM bit需求增长CAGR mid-teens% ， NAND high-teens% ；预计2024年DRAM、NAND会供不应求；预计FY24公司DRAM/NAND wafer capacity较FY22峰值低两位数下滑；
预计除HBM外， DRAM后端成本FY24下滑high-single% ， NAND后端成本下滑low-teens% ，主要因1-beta、232层先进工艺； CHIPS、Science Act政府补贴合计约61亿美元；
目前80%+ DRAM出货bits是1-alpha、1-beta工艺，90%+ NAND出货是176层、232层工艺； 1-gamma EUV DRAM、下一代NAND 2025年量产on track；
预计FY24 capex 80亿美元 （上调） ，WFE capex继续同比下滑； 预计FY25 capex占营收mid-30s% ， 季度平均capex将高于30亿美元 ；预计爱达荷州、纽约州新Fab建设将占FY25 capex增量的一半以上，两个工厂将分别于FY27、FY28投运；未来capex主要以DRAM为主，包括HBM，而NAND占比较小，NAND技术迭代比较容易转换；
HBM3E较D5消耗3倍wafer，HBM4会消耗更多wafer，制约非HBM DRAM产能；
本季度DIO 155天，环比下滑5天，预计FY25剔除战略库存后会降到120天；
总的来说，美光这份财报符合预期，自身利润率持续修复，没有出现部分投资者所期待的业绩大爆发， 毕竟美光在现有HBM市场并不是Top级玩家 ， 可以关注SK海力士Q2财报 。 后续 AI服务器中的HBM3E、 高密度 LP5仍是美光两大增长点。
在英伟达财报后，市场又开始幻想除英伟达以外的半导体公司业绩爆发，但事实是目前半导体市场仍未完全复苏，大家看得有点远。强如有卖方吹上天的博通ASIC定制业务加持，博通半导体营收同比增速仅6%而已，大幅跑输台积电营收增速。
市场现在给美光的估值已经远远不是周期股估值了。从公司整体业绩预期上看，美光 FY25 营收将创历史新高是没错， HBM敞口叠加存储复苏嘛。不过管理层给出FY25 HBM营收数十亿美元的指引，“数十亿美元”的范围有点大，还需要观察。
该怎么对美光估值见仁见智，只是别到最后把美光搞成当年思科了
