存储巨头美光拉开半导体三季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY24Q4，按实际时间对应2024年6/7/8月。等待10K文件等了太久。
美光FY24Q4财报：
营收 77.5 亿美元，同比增长 93% ，环比增长 14% ； 营收连续4个季度同比增长；预计FY25Q1营收 87 亿美元，同比增长 84% ，环比增长 12% ， 创历史新高 （此前营收巅峰是FY18Q4的 84 亿美元） ；
GAAP毛利率 35.3% ，环比提升8.4个百分点； 预计FY25Q1毛利率38.5%，环比提升3.2个百分点 （毛利率巅峰是FY18Q4的 61% ） ；
GAAP经营利润 15.22 亿美元，环比增长 112% ，经营利润率 20% （经营利润巅峰是FY18Q4的 4 3 亿美元） ；
经营现金流 34.05 亿美元，环比增长 37% （ 经营现金流巅峰是FY18Q4的 52 亿美元） ； 自由现金流连续2个季度为正 ；
GAAP净利润 8.87 亿美元，连续3个季度为正，NonGAAP净利润 13.42 亿美元，连续3个季度为正 ；预计FY25Q1 GAAP净利润 17.33 亿美元，NonGAAP净利润 19.58 亿美元 （净利润巅峰是FY18Q4的 43 亿美元） ；
本季度重启回购，回购3亿美元；
本财年美国营收占比 52% ，中国台湾 19% ，中国大陆 12% ，中国香港 4% ，日本 3% ，欧洲 3% ；
分业务：
DRAM营收53.26亿美元 ，同比增长93%， 连续4个季度增长 ，营收占比69%；DRAM bit出货量环比持平，ASP环比增长mid-teens%；
NAND营收23.65亿美元 ，同比增长96%， 连续4个季度增长 ，营收占比31%；NAND bit出货量环比增长高个位数，ASP环比增长高个位数 ；
预计下季度DRAM bit出货环比增长 ， NAND bit出货环比持平 ， 未来数据中心仍是主要增长点，HBM、高密度DIMM、数据中心SSD；
分市场：
FY24 数据中心营收创新高 ， 预计FY25数据中心营收在此基础上大幅增长 ，2025年数据中心需求持续强劲； 预计2024年服务器出货量同比增长mid-high single% （没变） ，AI服务器大幅增长，传统服务器小幅增长 low-single%， 预计2025年类似； 公司主要数据中心产品包括 HBM 、 高密度D5/LP5 以及数据中心SSD 这三大类， 预计FY25每大类产品贡献营收数十亿美元 ；
本季度HBM 贡献数亿美元营收 （上季度1亿美元， SK海力士Q2 HBM营收约12亿美元） ， 毛利率高于DRAM （DRAM毛利率高于公司平均水平） ； 预计FY25 HBM营收将达数十亿美元 ； 预计HBM TAM从2023年接近 40亿美元增长至2025年超 250亿美元 ，HBM占DRAM出货从2023年 1.5% 增长至2025年 6% ；
12-high 36GB HBM3E产品预计2025年初开始ramp，后续出货比重也将大幅提升；预计2025年公司HBM市场份额将会与公司DRAM市场份额相匹配 （20%） ；2024/2025年HBM量/价都已锁定；HBM4将在2026年推出；
高密度1-beta 128GB服务器D5 DIMM产品渗透率提升； 本季度数据中心SSD营收超10亿美元创新高 ，数据中心SSD在AI以及传统计算与存储中的需求持续强劲，公司市占率持续提升；
预计2024年PC出货同比增长low-single% （不变） ； 随着PC在下半年季节性增长，预计到2025年春季PC库存将更健康，2025年全年PC出货继续增长，主要集中在下半年，伴随win10到期、win12发布、AIPC换机潮；
本季度MBU产品经营利润率27% ， 连续2个季度转正 ； 预计2024年智能手机出货同比增长low-mid single% （不变）， 2025年继续增长 ；本季度首批手机客户验证1-beta LP5x DRAM+第二代G8 NAND UFS4.0产品；
汽车业务年营收连续4年创新高 ，由于汽车行业调整库存， 预计FY25H2恢复增长 ；本季度首批汽车客户验证1-beta 16Gb LP5 DRAM产品； 工业、零售消费者市场这次直接不提；
会议纪要重点：
预计2024年DRAM bit需求增长 high-teens% （上调） ，NAND bit需求增长 mid-teens% （不变） ，2025年皆增长 mid-teens% ，预计2025年DRAM与NAND 供需情况都健康 ；
预计除HBM外， DRAM前道成本FY25下滑 mid-high single% ， NAND前道成本下滑 low-to-mid teens% ；
1-beta DRAM、G8（232层）/G9 NAND大规模量产，FY25占比会持续提升；1-gamma EUV DRAM 2025年量产on track；
预计下季度capex 35亿美元，FY25 capex大幅增长， 占营收mid-30s% ，增长主要来自Fab绿地投资与HBM投资；爱达荷州新Fab正在建设，纽约州新Fab正寻求政府批准，两个工厂投产不早于FY25、FY26；印度封测厂正在建设，西安后端厂正在扩建，收购台湾LCD厂准备改造成DRAM产线；
HBM3E较D5消耗3倍wafer，HBM4会消耗更多wafer，制约非HBM DRAM产能；
本季度DIO 158天，环比增长3天，预计FY25年底剔除战略库存后会降到120天；
预计FY25营收创新高 ， 盈利水平显著提高 ；
总的来说，美光这份财报小超预期，主要因FY25指引乐观，自身利润率持续修复， 同时美光表示2025年DRAM与NAND供需情况健康 （大摩拿供过于求来唱衰SK海力士） 。
上季度财报曾提到FY25 HBM数十亿美元营收指引范围问题，本季度按美光给出250+亿美元TAM，结合20%市占率目标，差不多是50亿美元。 由于FY25 HBM出货量与价格已经锁定，影响美光FY25业绩的主要变量是PC与手机市场 （大摩也拿PC、手机市场需求疲软来唱衰SK海力士） 。
目前美光估值2.5倍PB，处于历史估值区间最上沿。