存储巨头美光拉开半导体二季报帷幕。美光本季度按财年时间是FY25Q3，按实际时间对应2025年3/4/5月。
美光FY25Q3财报：
营收 93 亿美元，同比增长 37% ，环比增长 16% ，创历史新高 ；预计FY25Q4营收 107 亿美元，同比增长 38% ，环比增长 15% ，再创历史新高；
GAAP毛利率 37.7% ，环比增长0.9个百分点； 预计FY25Q4毛利率41%，环比增长3.3个百分点 （毛利率巅峰是FY18Q4的 61% ） ；
GAAP经营利润 21.7 亿美元，环比增长 22% ，经营利润率 23% （经营利润巅峰是FY18Q4的 4 3 亿美元） ；
经营现金流 46.1 亿美元，环比增长 17% （ 经营现金流巅峰是FY18Q4的 52 亿美元） ； 自由现金流连续5个季度为正 ；
GAAP净利润 18.9 亿美元，环比增长 19% ，NonGAAP净利润 21.8 亿美元，环比增长 22% ；预计FY25Q4 GAAP净利润 25.8 亿美元，NonGAAP净利润 28.1 亿美元 （净利润巅峰是FY18Q4的 43 亿美元） ；
本季度仍未回购；
分业务：
DRAM营收71亿美元 ，同比增长51%， 连续7个季度增长 ，环比增长15%，营收占比76%； DRAM bit出货量环比增长超20%，ASP环比下滑低个位数； 预计FY25Q4 bit出货量环比增长；
NAND营收22亿美元 ，同比增长4%， 连续7个季度增长 ，营收占比23%； NAND bit出货量环比增长mid-20%s，ASP环比下滑高个位数； 预计FY25Q4 bit出货量环比增长；
本季度数据中心DRAM与NAND继续分化 ， CNBU经营利润21.8亿美元 ，环比增长14%， 连续7个季度环比增长 ；SBU经营亏损900万美元，环比转亏， 本季度手机MBU经营利润2.2亿美元 ， 环比增长262% ，结束连续3个季度环比下滑 ； EBU经营利润9800万美元，环比增长3167%，结束连续2个季度环比下滑 ；
分市场：
预计2025年服务器出货同比增长中个位数 （不变） ，主要靠AI服务器带动； 公司主要数据中心产品包括 HBM 、 高密度D5/LP5 以及数据中心SSD 这三大类； 本季度数据中心营收同比翻倍增长 ，其中数据中心DRAM营收连续4个季度创新高，HBM市场份额持续提升， FY25前三季度数据中心高密度D5和LP产品合计营收已达数十亿美元 ，持续创新高，美光仍然是数据中心领域LPDRAM的独家量产供应商； 数据中心SSD市场份额连续3个季度创新高，第三方统计Q1排名第二；GB200 NVL72推荐配置的9550 SSD本季度完成多家厂商验证， 预计CY25H2数据中心SSD市场要比CY24H1好 ；
本季度 HBM 营收超15亿美元，环比增长近50%，对比之下 SK海力士Q1 HBM营收约44亿美元 ； 预计2025年HBM TAM超350亿美元 （不变） ；
应用于GB300的HBM3E 12H开始ramp， 良率爬坡比8H更快 ， 预计FQ4营收会反超其他HBM产品 ；本季度共向四个HBM客户出货，包含GPU与ASIC； 预计2025下半年公司HBM市场份额将会与公司DRAM市场份额相匹配 （20%+） ； 6月初宣布拿下AMD MI355X平台的HBM3E 36GB 12H；美光HBM4使用自家 1-beta DRAM叠加先进制程逻辑Die （应该与SK海力士HBM4一样，逻辑Die由台积电制造） ，目前已向多个客户送样，预计2026年量产；
预计2025年 PC出货同比增长低个位数 （下调） ；Q1美光客户端SSD市场份额创新高；
本季度MBU营收环比增长45%，主要因客户去库存以及手机DRAM用量持续提升；本季度开始送样业界首款基于1-gamma工艺的LP5X产品；MBU 产品经营利润率14% ，环比提升8个百分点；
美光终端市场的客户库存水平总体上健康，工业业务开始环比增长；
美光将于下季度起按新架构披露财务数据，四大业务部门分别为云内存事业部（CMBU） 、 核心数据中心事业部（CDBU） 、 移动与客户端事业部（MCBU） 和汽车与嵌入式事业部（AEBU） ；
会议纪要重点：
预计2025年DRAM bit需求增长 high-teens% （上调） ，NAND bit需求增长 low -teens% （不变） ； 2025年DRAM/NAND bit供给增速低于行业nonHBM与NAND的平均水平； 中期DRAM/NAND bit需求增长CAGR mid-teens% （不变） ；
FQ3消费者业务拉低了毛利率，预计从FQ4开始随着DRAM增长快于NAND，毛利率会逐步提升；
NAND制程转换会使FY25 NAND产能比FY24低10%；随着HBM的硅片需求和晶圆转换比持续提升 （HBM3E较D5消耗3倍wafer，HBM4将消耗更多，HBM4E将消耗超4倍wafer） ，美光需要建设新的greenfield产能；
预计 F Y25 capex 140亿美元 （不变） ， 大部分与HBM相关 ； FY26 capex占营收约35% ；
本季度DIO 139天，环比下降19天， 预计FQ4 DRAM库存将非常紧张，NAND库存将显著减少，DIO会降至120天以下；
美光LP4、D4产品主要用1-alpha DRAM工艺，未来2-3个季度之后不再出货， 预计FY25H2 D4相关产品全球营收敞口约低个位数， LP4短缺也可能提升D4产品营收占比；
总的来说，美光这份财报还行，市场担心的消费电子疲软得到缓解，以及数据中心SSD短期过剩的担忧开始散去，HBM3E 12H开始放量，HBM4进展良好。但鉴于目前美光超高的估值，市场需要更多关于HBM市场TAM上调的积极信号，管理层这次并未给到。
目前美光PB 2.8x，已经突破历史估值区间向上两个标准差，而全球HBM一哥SK海力士目前PB 2.5x （25Q1，25Q2可能会更低） ，HBM掉队的三星电子目前PB 1x （25Q1， 25Q2可能会更低 ） 。
如果非要很乐观去单独拍HBM业务估值：2025年HBM TAM 350亿美元，美光市占率取25% （counterpoint 25Q1） ，意味着接近88亿美元营收，净利润率取30% （CNBU业务OPM 43%） ，就意味着26.4亿美元净利润，根据官方给出的2024-2028年HBM TAM CAGR 40%+指引，PEG取1就意味着40倍PE，结合下来就是HBM业务对应约1050亿美元估值，是现在美光市值的75%。当然这种计算也只是个乐子。